2023年全球及中國CMP設備行業重點企業市場競爭格局分析及未來市場發展趨勢研究預測

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1、行業競爭格局分析：全球CMP設備市場主要由美國應用材料和日本荏原占據，處于高度壟斷狀態。根據中金企信數據，上述兩家制造商的CMP設備全球市場占有率超過90%，尤其在14nm以下先進制程工藝產線上使用的CMP設備主要由美國應用材料和日本荏原兩家國際巨頭提供。中國大陸2022年CMP設備市場規模達6.66億美元，但絕大部分高端CMP設備仍然依賴于進口，主要由美國應用材料和日本荏原兩家提供。國內從事CMP設備業務的主要企業有北京晶亦精微科技股份有限公司及華海清科，其中公司是國產8英寸CMP設備的主要供應商，所生產的8英寸CMP設備已廣泛應用于中芯國際、境內客戶A、世界先進、聯華電子等境內外先進集成電路制造商的規模化產線中。

中金企信國際咨詢公布的《2023版全球及中國CMP設備市場深度調研及投資可行性預測咨詢報告》

2、行業主要企業：

（1）國際主要競爭對手分析：

1）美國應用材料：美國應用材料成立于1967年，系美國納斯達克證券交易所上市公司（股票代碼：AMAT.O），主要從事半導體設備的研發、生產、銷售及服務，主要產品包括原子層沉積設備、化學薄膜沉積設備、電化學沉積設備、物理薄膜沉積設備、刻蝕設備、快速熱處理設備、離子注入機、化學機械拋光設備等。美國應用材料是全球最大的半導體設備供應商之一。2022財年，美國應用材料實現營業收入257.85億美元，凈利潤65.25億美元。

2）日本荏原：日本荏原成立于1912年，系日本東京證券交易所上市公司（股票代碼：6361.T），主要從事以泵等旋轉機械為中心的開發活動，可具體分為三個部分：流體機械和系統；環境工程和精密機械，其精密機械產品包括干式真空泵，化學機械拋光系統；電鍍系統和氣體減排系統。日本荏原是日本和中國臺灣的CMP設備最大供應商。2022財年，日本荏原實現營業收入51.19億美元，凈利潤3.80億美元。

（2）國內主要競爭對手概況目前，國內從事CMP設備制造業務的主要企業有公司及華海清科，除前述兩家公司外，下文還列示了其余國內半導體設備行業主要企業：

1）華海清科：華海清科（股票代碼：688120.SH）成立于2013年，主要從事半導體專用設備的研發、生產、銷售及技術服務，主要產品為12英寸CMP設備、減薄設備、供液系統、晶圓再生、關鍵耗材與維保服務。華海清科是一家擁有核心自主知識產權的半導體設備制造商。2022年度，華海清科實現營業收入16.49億元，凈利潤5.02億元。

2）中微公司：中微公司（股票代碼：688012.SH）成立于2004年，主要從事集成電路、LED關鍵制造設備，核心產品包括：①用于IC集成電路領域的等離子體刻蝕設備（CCP、ICP）、深硅刻蝕設備（TSV）；②用于LED芯片領域的MOCVD設備。中微公司深耕芯片制造刻蝕領域，研制出了國內第一臺電介質刻蝕機，是我國集成電路設備行業的領先企業。2022年度，中微公司實現營業收入47.40億元，凈利潤11.68億元。

3）北方華創：北方華創（股票代碼：002371.SZ）成立于2001年，主要從事半導體基礎產品的研發、生產、銷售和技術服務，主要產品為電子工藝裝備和電子元器件。公司電子工藝裝備主要包括半導體裝備（包括刻蝕、薄膜、清洗、熱處理、晶體生長等核心工藝裝備）、真空裝備和新能源鋰電設備，電子元器件主要包括電阻、電容、晶體器件、模塊電源、微波組件等。北方華創是中國最大的電子裝備生產基地和高端電子元器件制造基地。2022年度，北方華創實現營業收入146.88億元，凈利潤25.41億元。

4）芯源微：芯源微（股票代碼：688037.SH）成立于2002年，主要從事半導體專用設備的研發、生產和銷售，產品包括光刻工序涂膠顯影設備（涂膠/顯影機、噴膠機）和單片式濕法設備（清洗機、去膠機、濕法刻蝕機）。芯源微生產的涂膠/顯影機成功打破國外廠商壟斷并填補國內空白，其中在LED芯片制造及集成電路制造后道先進封裝等環節，作為國內廠商主流機型已成功實現進口替代。2022年度，芯源微實現營業收入13.85億元，凈利潤2.00億元。

5）盛美上海：盛美上海（股票代碼：688082.SH）成立于2005年，主要從事半導體專用設備的研發、生產和銷售，主要產品包括半導體清洗設備、半導體電鍍設備和先進封裝濕法設備等。2022年度，盛美上海實現營業收入28.73億元，凈利潤6.68億元。

3、主要技術分析：

（1）亞納米級全局平坦化技術：亞納米級全局平坦化技術包括平坦化位移場追蹤掃描技術、多區域柔性研磨組件技術、特殊材料研拋技術和增效平坦化技術。平坦化位移場追蹤掃描技術結合研磨組件與修整器的多種動態運動方式，自動跟蹤生成高維度位移場擺動曲線，實現了平坦化運動位移的高精度性和多組件協作的穩定協同。多區域柔性研磨組件技術通過對晶圓多區域壓力分布的精密控制和調整，實現對晶圓表面形貌的精確調整，可實現最多8區域獨立控制。特殊材料研拋技術突破了邊緣形貌獨立控制技術、工藝過程中熱量分布和環境溫度控制技術、研磨液流場控制技術、電極拋光增效和拋光液循環技術等技術，創新地實現了高速可靠的特殊材料表面拋光處理。增效平坦化技術通過包括超聲、光波、電化學、芬頓反應等多種技術手段對傳統化學機械拋光工藝進行增效處理，有效實現了超低壓力下的超高去除率。

（2）光電磁一體化終點檢測技術：光電磁一體化終點檢測技術包括光學終點檢測技術和電渦流終點檢測技術。光學終點檢測技術基于光學反射和干涉的原理，對拋光盤進行了光學系統設計，通過光譜采集與處理技術對收集的光強或光譜數據進行處理，從而得到拋光介質去除量以及介質材料變化的信號，通過終點檢測算法實現拋光重點偵測和設備主動停止，降低環境影響，避免過拋或欠拋。

電渦流終點檢測技術應用電渦流效應在拋光過程中實時偵測晶圓表面金屬膜的厚度和形貌，配合晶圓邊緣及溫度補償算法，通過晶圓承載器壓力實時調整，實現晶圓表面形貌的精確控制，可實現晶圓實時形貌檢測和控制，大幅提高金屬CMP的工藝質量和效率。

（3）超凈無損清洗技術：超凈無損清洗技術包括高頻聲波清洗技術、微重力柔性清洗技術、低速旋轉式晶圓表面干燥技術和復合豎直水平清洗技術。

高頻聲波清洗技術針對不同器件結構，選取適合的聲波頻率，并控制聲波發生器與晶圓表面距離、噴射角度等參數，結合動態位移控制技術，確保晶圓表面獲得均勻聲波能量，實現最小晶圓表現損傷情況下最優的清洗效果。

微重力柔性清洗技術通過刷洗力實時精確控制技術、晶圓表面刷洗力分布檢測技術以及清洗刷柔性材料技術等，來提升晶圓表面清潔力和降低化學品等工藝耗材的用量，對微小沾污清洗效果明顯。

低速旋轉式晶圓表面干燥技術基于業界通用的馬蘭戈尼效應，創新地采用了低速離心力液膜剝離技術，配合液膜連續性檢測技術和協同的高純氮吹掃路徑算法等實現晶圓再次清潔基礎上的干燥，解決了同類產品中殘留水漬及干燥過程中再污染的問題。

復合豎直水平清洗技術是通過結合豎直清洗技術和水平干燥技術的突出優勢，實現更高節點要求的超凈清洗技術，能夠實現更好的工藝效果。

（4）設備智能分析和控制系統：設備智能分析和控制系統包括晶圓表面形貌智能控制技術、設備智能輔助故障處理系統和設備自學習系統。晶圓表面形貌智能控制技術基于對晶圓表面形貌及去除量的實時偵測以及對修整器壓力和路徑、研磨墊表面形貌、研磨盤溫度、晶圓承載器壓力、研磨液分布、相關耗材使用壽命等信息的實時偵測，在高精度協同控制模型作用下，對于上述各模塊的關鍵參數進行自動調節，以實現晶圓表面形貌最優。該技術在晶圓全局平坦化程度以及量產晶圓片間均勻性方面都展現出一定優勢。

設備智能輔助故障處理系統通過搭建設備異常分析神經網絡，依托數據庫中分類標注的工藝數據對設備進行訓練，使系統能自動且精準高效地對加工數據進行異常分析和歸類，降低故障處理試錯成本，提高故障處理的準確性和效率。設備自學習系統通過人工智能技術，搭建自學習模型，在系統中導入各影響因子數據，通過分析并給出更優工藝參數組合并循環迭代，逐步進行系統模型的自主訓練和優化，最終令設備具備愈加成熟的CMP系統級決策能力，輸出最優的工藝解決方案。

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