2021年膜狀擴散源行業市場前景分析及項目可行性研究

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（1）半導體摻雜工藝是制造芯片的核心工序之一：PN結具有單向導電性，是晶體管和集成電路最基礎、最重要的物理原理，所有以晶體管為基礎的復雜電路的都離不開它。PN結是指通過采用不同的摻雜工藝，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（主要是硅）基片上，二者交界面形成的空間電荷區。P（Positive）型半導體是在硅中摻入Ⅲ族元素（如硼B），Ⅲ族元素相比Ⅳ族的外層電子少一個，這種缺少電子的空位被稱為空穴，空穴能夠導電；N（Negative）型半導體是在硅中摻入Ⅴ族元素（如磷P），V族元素相比Ⅳ族的外層電子多出一個，多出的電子能夠作為導電的來源。

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半導體摻雜工藝是芯片制造的核心工序之一，其目的在于控制半導體中特定區域內雜質元素（磷、硼等）的類型、濃度、深度，用以制作PN結。目前半導體摻雜工藝主要有離子注入工藝技術和擴散工藝技術兩類。

離子注入工藝技術原理是利用離子源產生的等離子體，在低壓下把氣態分子借電子的碰撞而離化成離子，經過引出離子電極（吸極）、質量分析器、加速管、掃描系統、工藝腔體等高技術設備將摻雜元素注入到硅片中。離子注入工藝多用于制造集成電路芯片、SiC功率器件。

擴散工藝技術原理是將摻雜源與硅基片接觸，在一定溫度和時間條件下，將所需的雜質原子（如磷原子或硼原子）按要求的濃度與分布摻入硅片中。擴散藝技術相較于離子注入工藝技術操作方便，成本低廉，多用于制作功率半導體芯

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中金企信國際咨詢公布的《2021-2027年中國膜狀擴散源行業市場調研及戰略規劃投資預測報告》

（2）膜狀擴散源具有一定的市場潛力：擴散工藝摻雜源主要有氣態源、液態源、膜狀擴散源三類。氣態源和液態源是發展最早的擴散源，制備相對容易，但摻雜源可控性相對較弱，相應的制造芯片工藝相對固態源較為復雜；且兩類源多為有毒物質，安全生產和環保要求較多。膜狀擴散源是固態源，使用在擴散工序中，摻雜源更加可控，有利于摻雜的均勻性和穩定性，可大幅簡化擴散工藝流程；且膜狀擴散源自身及制造過程環保無害，便于運輸和儲存，芯片制造過程中也減少了有害物的產生。三類源優缺點對比如下：

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膜狀擴散源已經在功率二極管芯片生產中顯現出其優勢，在晶體管芯片、太陽能光伏電池片生產中也已開啟應用，未來還可應用于硅基熱敏電阻器芯片、硅基壓力傳感器芯片甚至部分集成電路芯片等領域。發行人生產的膜狀擴散源產品包括膜狀磷擴散源、膜狀硼擴散源和中性隔離膜三大類，可用于各類型硅基功率二極管、晶體管、太陽能光伏電池片等器件的芯片制造。通常，膜狀磷擴散源或膜狀硼擴散源被夾在兩張硅片之間使用。替換傳統氣態源、液態源和替代進口是國內企業膜狀擴散源業務的未來發展方向。

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