2020年DRAM存儲器行業發展態勢分及市場競爭趨勢

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DRAM屬于半導體存儲器，是易失性存儲器的一種，主要用于電子設備的內存。半導體存儲器分為非易失性存儲器和易失性存儲器，非易失性存儲器在斷電時仍然可以保存數據，括NANDFlash、NORFlash等，易失性存儲器在斷電狀態下數據會丟失，包括動態隨機存儲器（DRAM）和靜態隨機存儲器（SRAM）。在易失性存儲器中，DRAM和SRAM的應用場景各有不同。SRAM的讀寫速度在所有的存儲器中最快，但同時制造成本高，常用于對容量要求較小的高速緩沖存儲器，如CPU的一級、二級緩存等。DRAM利用電容儲存電荷的多少存儲數據，需要定時刷新電路克服電容的漏電問題，讀寫速度比SRAM慢，但快于所有的只讀存儲器（ROM），且集成度高、功耗低、體積小，制造成本低，常用于容量較大的主存儲器，如計算機、智能手機、服務器的內存等。除半導體存儲器外，按照存儲介質的不同，存儲器還包括光學存儲器和磁性存儲器。光學存儲器根據激光等特性進行數據存儲，常見的有DVD、CD等，磁性存儲器利用磁性特征進行數據存儲，常見的有磁盤、軟盤等。

?DRAM是存儲器市場上的常青樹，從1966年IBM研發出世界上第一塊易失性存儲器（DRAM）開始，它就一直在我們的計算系統中占據著核心位置。從現有的計算機系統結構來看，存儲器分為緩存、內存（主存儲器）、外存（輔助存儲器）三大類。DRAM存儲器和Flash閃存芯片是當前市場中最為重要的存儲器。DRAM是最為常見的系統內存，雖然性能較為出色，但是其斷電易失，相比于其同級別的易失性存儲器，其成本更低，故而其在系統內存中最為常見；Flash則是應用最廣泛的非易失性存儲，其斷電非易失性使其主要被應用于大容量存儲領域。1966年，IBM公司托馬斯?沃森研究中心（Thomas?Watson?Research?Center）的研究人員時年34歲的羅伯特?登納德（Robert?Dennard）博士提出了用金屬氧化物半導體（MOS）晶體管，來制作存儲器芯片的設想，同年研發成功1T/1C結構（一個晶體管加一個電容）的DRAM，并在1968年獲得專利。自1966年至今已經過去50余年，DRAM市場累計創造了超過1萬億美元產值。企業間摻雜著你死我活的生死搏殺。美國、日本、德國、韓國、中國臺灣的企業，懷揣巨額資金，高高興興地沖殺進來，卻大都丟盔棄甲黯然離開。包括開創DRAM產業的三大巨頭在內的無數名震世界的產業巨頭轟然倒地；英特爾、德州儀器和IBM，也分別在1985年、1998年和1999年，凄慘地退出了DRAM市場。DRAM行業在不同階段由不同動力驅動成長，現已進入由智能手機、云推動增長階段。上世紀70年代至本世紀初期，以美國為主的發達國家對于PC需求的日益增長刺激了DRAM出貨量的快速提升。從1990年初開始，發達國家的電話需求也開始貢獻增長。20世紀初，在發達國家，筆記本電腦的需求接替增長，新興國家PC、電話也開始發展，成為新興推動力。存儲器占據半導體產業和信息產業的核心地位，市場規模巨大，但壟斷格局牢固，巨頭優勢明顯。據全球半導體貿易統計組織（WSTS）估算，2018年全球半導體產品銷售額4373億美元，其中存儲器就占到了1343億美元，超過30%。存儲器市場空間雖然巨大，但競爭卻異常激烈，而且其資本投入大、科技含量高的特點加劇了強者愈強的馬太效應，三星鎂光、海力士三巨頭已經在DRAM領域形成了“高市占率→高營業額→研發投入大→技術領先→搶占市場”的良性循環。在強者愈強的產業壁壘面前，后進企業憑自身力量難以實現突破，還需要產業戰略機遇、社會資源協同支持等等外部因素的助力。存儲器產業在過去五十多年的發展中經過了殘酷的商業競爭和淘汰，已經形成了寡頭壟斷的局面。國外巨頭三星，SK海力士和美光在2018年DRAM全球市場中占比分別為45.5%，29.1%，21.1%，總占比超過95%，基本壟斷了整個DRAM市場。而在NANDFlash領域，三星，東芝/西部數據，美光，SK海力士和英特爾在2017年NANDFlash全球市場中占比分別為39%，32%，11%，11%，6%，總占比高達99%。從2010年開始，智能手機成為DRAM市場最大推動力，2020年5G和云將成為最大動力。現階段，手機內存是最大市場，服務器未來有望增長最快。據中金企信國際咨詢公布的《2020-2026年中國DRAM存儲器行業專項深度調研及發展規劃指導可行性預測報告》統計數據顯示：2018年手機、服務器和電腦內存分別占DRAM下游應用市場的比例分別為37%、25%和22%左右。需求端有望回暖。智能手機現階段處于5G過渡期，短期出貨增長速度放緩，之后有望迎來快速增長，從而拉動DRAM的搭載量持續增加，預計2020智能手機出貨14億部，同比增長0.7%，2021年出貨15億部，同比增長7.1%。疊加單機容量增加，智能手機仍將是最大推動力。受人工智能、物聯網和云計算等應用需求拉動，全球云廠商資本支出逐漸回暖，全球服務器出貨量開始回升，成為DRAM應用的高成長領域，預計2020年服務器出貨1190萬臺，?智能手機出貨量面臨瓶頸的背景下，移動端DRAM需求增長主要來自單機內存容量的提升。但服務器和企業用DRAM需求則受益于大數據和AI訓練等新需求而快速增長。新興需求推動當前高度集中的DRAM市場格局難以適應推陳出新不斷發展的需求變化，正是新廠商的進入良機。2019年6月，智能手機出貨量3322.0萬部，同比下降5.0%，占同期手機出貨量的96.8%。2017年受全球存儲器價格上漲影響，全球半導體存儲器市場規模快速提升，2018年半導體存儲器市場份額下降0.3%至1645億美元，這是近三年來半導體存儲器市場份額的首次負增長。由于大數據和其他數據的使用，對內存的需求正在上升，但由于多家大廠的瘋狂擴產，價格的持續上漲主要落在NAND型閃存中。??2018年全球DRAM存儲器市場規模989億美元，同比增長35.48%，高增速主要來自于近兩年全球市場價格大漲影響。DRAM單價已逐步企穩回升，市場規模觸底反彈，行業此輪去庫存周期已逐步完成，存儲產業有望迎來全面回溫。2019年年底，DRAM價格降至低點，下游大規模囤貨導致庫存水平開始降低，DRAM單價逐步趨穩，DRAM市場規模增速已于19Q3見底。2020年，受5G帶來移動終端的需求激增及服務器需求量增加，DRAM相關產業鏈有望迎來全面回溫，開啟新一輪上漲周期。預計DRAM價格在2020H1將出現上漲趨勢，大廠有望于2020H2開始增加資本開支。預計2020年全球DRAM產業將恢復增長，市場規模達到675億美元，同比增長12%。

?中國經濟保持高速發展，并不斷加強尋求向更高附加值的產業結構轉型。加之近幾年國家安全等因素，將?IC?國產化進一步提升到到一個新的高度，國產存儲器產業揚帆起航的東風已經到來。在終端市場與制造產能都在中國的背景下，以存儲器為代表的核心半導體芯片國產化大勢所趨。