2020年光刻膠行業市場投資前景分析及市場規模、細分占比、市場需求、產量數據統計
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????光刻原理：光刻是整個集成電路制造過程中耗時最長、難度最大的工藝，耗時占IC制造50%左右，成本約占IC生產成本的1/3。光刻膠是光刻過程最重要的耗材，光刻膠的質量對光刻工藝有著重要影響。
光刻是將圖形由掩膜版上轉移到硅片上，為后續的刻蝕步驟作準備。在光刻過程中，需在硅片上涂一層光刻膠，經紫外線曝光后，光刻膠的化學性質發生變化，在通過顯影后，被曝光的光刻膠將被去除，從而實現將電路圖形由掩膜版轉移到光刻膠上。再經過刻蝕過程，實現電路圖形由光刻膠轉移到硅片上。在刻蝕過程中，光刻膠起防腐蝕的保護作用。
光刻膠分類：根據化學反應機理和顯影原理的不同，光刻膠可以分為負性膠和正性膠。對某些溶劑可溶，但經曝光后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑不可溶，經曝光后變成可溶的為正性膠。
從需求端來看，光刻膠可分為半導體光刻膠、面板光刻膠和PCB光刻膠。其中，半導體光刻膠的技術壁壘最高。
光刻膠技術壁壘：光刻膠是半導體材料中技術壁壘最高的品種之一。光刻膠產品種類多、專用性強，是典型的技術密集型行業。不同用途的光刻膠曝光光源、反應機理、制造工藝、成膜特性、加工圖形線路的精度等性能要求不同，導致對于材料的溶解性、耐蝕刻性、感光性能、耐熱性等要求不同。因此每一類光刻膠使用的原料在化學結構、性能上都比較特殊，要求使用不同品質等級的光刻膠專用化學品。
光刻膠一般由4種成分組成：樹脂型聚合物、光活性物質、溶劑和添加劑。樹脂是光刻膠中占比最大的組分，構成光刻膠的基本骨架，主要決定曝光后光刻膠的基本性能，包括硬度、柔韌性、附著力、耐腐蝕性、熱穩定性等。光活性物質是光刻膠的關鍵組分，對光刻膠的感光度、分辨率等其決定性作用。
分辨率、對比度和敏感度是光刻膠的核心技術參數。隨著集成電路的發展，芯片制造特征尺寸越來越小，對光刻膠的要求也越來越高。光刻膠的核心技術參數包括分辨率、對比度和敏感度等。為了滿足集成電路發展的需要，光刻膠朝著高分辨率、高對比度以及高敏感度等方向發展。
光刻膠市場情況：目前全球光刻膠市場基本被日本和美國企業所壟斷。光刻膠屬于高技術壁壘材料，生產工藝復雜，純度要求高，需要長期的技術積累。日本的JSR、東京應化、信越化學及富士電子四家企業占據了全球70%以上的市場份額，處于市場壟斷地位。光刻膠市場需求逐年增加，據中金企信國際咨詢公布的《2020-2026年中國光刻膠市場運行格局及投資戰略研究可行性報告》統計數據顯示：2018年全球半導體光刻膠銷售額12.97億美元。隨著下游應用功率半導體、傳感器、存儲器等需求擴大，未來光刻膠市場將持續擴大。
2018年全球光刻膠企業市場占比分析
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數據統計：中金企信國際咨詢
由于光刻膠的技術壁壘較高，國內高端光刻膠市場基本被國外企業壟斷。特別是高分辨率的KrF和ArF光刻膠，基本被日本和美國企業占據。
國內光刻膠生產商主要生產PCB光刻膠，面板光刻膠和半導體光刻膠生產規模相對較小。國內生產的光刻膠中，PCB光刻膠占比94%，LCD光刻膠和半導體光刻膠占比分別僅有3%和2%。
2018年中國光刻膠市場細分產品規模比重分析
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數據統計：中金企信國際咨詢
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國內光刻膠市場規模保持穩定增長，從2011年的30.4億元增長到2018年的62.3億元，復合增長率達11.59%。
2012-2017年中國光刻膠市場規模現狀分析
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數據統計：中金企信國際咨詢
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國內光刻膠需求量方面，2011年光刻膠需求量為3.51萬噸，到2017年需求量為7.99萬噸，年復合增長率達14.69%。2018年國內光刻膠需求量預計為8.44萬噸。
2012-2017年中國光刻膠市場需求現狀分析
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數據統計：中金企信國際咨詢
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國內光刻膠需求量遠大于本土產量，且差額逐年擴大。由于國內光刻膠起步晚，目前技術水平相對落后，生產產能主要集中在PCB光刻膠、TN/STN-LCD光刻膠等中低端產品，TFT-LCD、半導體光刻膠等高技術壁壘產品產能極少，仍需大量進口，從而導致國內光刻膠需求量遠大于本土產量。
2011-2018年中國光刻膠本土產量及國內總產量分析
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數據統計：中金企信國際咨詢
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國內PCB光刻膠國產替代進度快，面板光刻膠和半導體光刻膠與國外相比仍有較大差距。從技術水平來看，PCB光刻膠是目前國產替代進度最快的，飛凱材料已經在高端的濕膜光刻膠領域通過下游廠商驗證；面板光刻膠進度相對較快，目前永太科技CF光刻膠已經通過華星光電驗證；半導體光刻膠目前技術較國外先進技術差距較大，僅在G線與I線有產品進入下游供應鏈，北京科華目前KrF（248nm）光刻膠目前已經通過中芯國際認證，ArF（193nm）光刻膠正在積極研發中。