2020年涂膠顯影設(shè)備市場應(yīng)用前景及投資戰(zhàn)略研究

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涂膠顯影設(shè)備（又稱?Track?或?Coater＆Developer）是光刻工序中與光刻機配套使用的涂膠、烘烤及顯影設(shè)備，包括涂膠機（又稱涂布機、勻膠機，英文簡稱Spin?Coater）、噴膠機（適用于不規(guī)則表面晶圓的光刻膠涂覆，英文簡稱?SprayCoater）和顯影機（英文簡稱?Developer）。在早期的集成電路和較低端的半導(dǎo)體制造工藝中，此類設(shè)備往往單獨使用（Off?Line）。隨著集成電路制造工藝自動化程度及客戶對產(chǎn)能要求的不斷提升，在?200mm（8?英寸）及以上的大型生產(chǎn)線上，此類設(shè)備一般都與光刻設(shè)備聯(lián)機作業(yè)（In?Line），組成配套的圓片處理與光刻生產(chǎn)線，與光刻機配合完成精細的光刻工藝流程。

市場應(yīng)用現(xiàn)狀：隨著集成電路生產(chǎn)技術(shù)不斷進步，為提高光刻工藝精度，涂膠顯影設(shè)備應(yīng)用的重要性日益凸顯，成為集成電路制造的核心設(shè)備。涂膠顯影設(shè)備可以應(yīng)用于集成電路制造前道晶圓加工領(lǐng)域，以及后道先進封裝領(lǐng)域，其中，應(yīng)用于集成電路制造前道晶圓加工環(huán)節(jié)的前道涂膠顯影設(shè)備地位更為重要，市場份額占比更大。

據(jù)中金企信國際咨詢公布的《2020-2026年中國涂膠顯影設(shè)備行業(yè)市場發(fā)展分析及投資戰(zhàn)略前景預(yù)測報告》統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示：2015-2018年，全球前道涂膠顯影設(shè)備銷售規(guī)模年均復(fù)合增長率為15.8%，2018年達到23億美元以上；2015-2018年，全球后道涂膠顯影設(shè)備銷售規(guī)模年均復(fù)合增長率為44.2%，2018年不足1億美元。2018年，中國涂膠顯影設(shè)備市場規(guī)模為9億美元左右，在全球市場中的份額占比為35%。預(yù)計未來5年，全球涂膠顯影設(shè)備需求增速將放緩，到2023年，全球涂膠顯影設(shè)備市場規(guī)模將達到27億美元左右。

企業(yè)競爭分析：在全球涂膠顯影設(shè)備市場中，日本東京電子（TEL）處于壟斷地位，市場份額占比超過86%，其他實力較強的企業(yè)還有SEMES、SCREEN等。在我國涂膠顯影設(shè)備市場中，TEL憑借強大的研發(fā)、技術(shù)與品牌優(yōu)勢，處于絕對壟斷地位，市場份額占比達到91%左右。TEL在中國大陸的涂膠顯影設(shè)備市場中，處于絕對壟斷地位。據(jù)中金企信國際咨詢統(tǒng)計，在中國大陸的涂膠顯影設(shè)備市場中，TEL的市占率超過90%，而DNS、沈陽芯源等的市占率合計不到10%。

根據(jù)中金企信國際咨詢統(tǒng)計數(shù)據(jù)：中國大區(qū)（含中國臺灣地區(qū)）前道涂膠顯影設(shè)備銷售額由2016年的8.57億美元增長到2018年的8.96億美元，預(yù)計2019年將有所下降，2020年重回上升軌道，2023年將將達到10.26億美元。

2016-2023年中國涂膠顯影設(shè)備市場規(guī)模分析

數(shù)據(jù)統(tǒng)計：中金企信國際咨詢

中國電子信息技術(shù)發(fā)展迅速，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐步向中國大陸地區(qū)轉(zhuǎn)移，2017-2020年間，全球投產(chǎn)的晶圓工廠中，中國大陸地區(qū)數(shù)量占比達到40%以上。我國晶圓行業(yè)進入蓬勃發(fā)展階段，為涂膠顯影設(shè)備行業(yè)發(fā)展帶來新機遇。我國政策也在大力推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，國家在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的投資不斷增加，也為我國涂膠顯影設(shè)備行業(yè)發(fā)展提供了有利保障。由于國內(nèi)涂膠顯影設(shè)備生產(chǎn)企業(yè)僅沈陽芯源一家，在未來的進口替代過程中，企業(yè)將優(yōu)先受益。

產(chǎn)業(yè)前景：

（1）半導(dǎo)體向中國大陸轉(zhuǎn)移趨勢明顯：近年來，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中國大陸轉(zhuǎn)移趨勢明顯，中國大陸迎來建廠潮。預(yù)計2017-2020年全球?qū)⒂?2座晶圓廠投產(chǎn)，其中26座晶圓廠來自于中國大陸，占比約42%。據(jù)統(tǒng)計，中國的Fab廠產(chǎn)能預(yù)計將從2015年的每月230萬片到2020年的400萬片，每年12%的復(fù)合年增長率，比其他所有地區(qū)增長都要快。此外，由于“中國效應(yīng)”，2018年全球半導(dǎo)體資本支出將首次突破1,000億美元。中國企業(yè)半導(dǎo)體資本支出110億美元，將超過歐洲和日本企業(yè)半導(dǎo)體資本支出之和107億美元。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中國大陸的持續(xù)轉(zhuǎn)移，將為國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)帶來良好的發(fā)展契機。

（2）半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)向高精度化與高集成化方向發(fā)展：隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進步，半導(dǎo)體器件集成度不斷提高。一方面，芯片特征尺寸不斷縮小，由12微米-0.35微米（1965年-1995年）到65納米-22納米（2005年-2015年），且還在向更小的方向發(fā)展；另一方面硅片尺寸卻不斷擴大，主流產(chǎn)品硅片尺寸已經(jīng)從4英寸、6英寸，發(fā)展到現(xiàn)階段的8英寸、12英寸。此外，半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)也趨于復(fù)雜，例如存儲器領(lǐng)域的NAND閃存已進入3D時代。3DNAND制造工藝中，增加集成度的方法不再是縮小單層上線寬而是增加堆疊層數(shù)，堆疊層數(shù)也從32層、64層量產(chǎn)向128層發(fā)展。這些對半導(dǎo)體設(shè)備的精度與穩(wěn)定性的要求越來越高，未來半導(dǎo)體設(shè)備將向高精度化與高集成化方向發(fā)展。

（3）不同技術(shù)等級設(shè)備都在市場上占有一席之地：雖然半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)迅猛發(fā)展，未來半導(dǎo)體設(shè)備將向高精度化與高集成化方向發(fā)展，但是由于芯片的用途極其廣泛，性能要求及技術(shù)參數(shù)等差異較大，各類性能、用途芯片大量并存并應(yīng)用，這也決定了不同的芯片產(chǎn)線需配臵相匹配的、技術(shù)等級及性價比相當(dāng)?shù)陌雽?dǎo)體設(shè)備。即使在同一產(chǎn)線上，復(fù)雜程度不同的工藝環(huán)節(jié)也是根據(jù)其實際需要搭配使用各類技術(shù)等級的設(shè)備。因此，高、中、低各類技術(shù)等級的生產(chǎn)設(shè)備均有其對應(yīng)市場空間，并存發(fā)展。

（4）國家政策及地方投資基金助力半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化進程：《中國制造2025》對于半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化提出明確要求：在2020年之前，90-32nm工藝設(shè)備國產(chǎn)化率達到50%，實現(xiàn)90nm光刻機國產(chǎn)化,封測關(guān)鍵設(shè)備國產(chǎn)化率達到50%。在2025年之前，20-14nm工藝設(shè)備國產(chǎn)化率達到30%，實現(xiàn)浸沒式光刻機國產(chǎn)化。為推動中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，國家先后設(shè)立國家重大專項和國家集成電路基金，國家集成電路基金首期計劃募資1200億元，實際募資1387億元。目前，國家集成電路基金二期方案已上報國務(wù)院并獲批，計劃募資1,500億元至2,000億元。以1：3的撬動比列測算，所撬動的社會資本規(guī)模在4500億元至6000億元，加上首期的1億元及所撬動的5145億元社會資本，資金總額將超過萬億元。此外地方政府也推出地方版集成電路投資基金，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展破解融資瓶頸提供了保障，有力促進了半導(dǎo)體行業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。伴隨著國家鼓勵類產(chǎn)業(yè)政策和產(chǎn)業(yè)投資基金不斷的落實與實施，本土半導(dǎo)體及其設(shè)備制造業(yè)迎來了前所未有的發(fā)展契機，有助于中國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)技術(shù)水平提高和行業(yè)的快速發(fā)展，從而進一步加快中國半導(dǎo)體設(shè)備的國產(chǎn)化進程。?